IRFH5210TRPBF

1.Lower Conduction Losses
2. ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူဓာတ်ကို စုပ်ယူနိုင်စေပါသည်။
3. ယုံကြည်စိတ်ချရမှု တိုးလာသည်။
4.Increased Power Density
5.Multi-Vendor Compatibility
6. ပိုမိုလွယ်ကူသောကုန်ထုတ်လုပ်မှု
7.Environmentally Friendlier
8.Increased ယုံကြည်စိတ်ချရမှု

ထုတ်လုပ်သူ အပိုင်းနံပါတ်-IRFH9310TRPBF
ထုတ်လုပ်သူ / BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
ဖော်ပြချက် အစိတ်အပိုင်း-MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
ခဲအခမဲ့အခြေအနေ / RoHS အဆင့်အတန်း: ခဲအခမဲ့ / RoHS လိုက်နာမှု
စတော့ရှယ်ယာအခြေအနေ- မူရင်းအသစ်၊ 12000 pcs စတော့ရှယ်ယာရနိုင်သည်။
သင်္ဘောမှ: ဟောင်ကောင်
ပို့ဆောင်မှုနည်းလမ်း- DHL/Fedex/TNT/UPS
Product Attribute Attribute Value Attribute ကို ရွေးပါ။
အပိုင်းနံပါတ် IRFH9310TRPBF
ထုတ်လုပ်သူ / Brand International Rectifier (Infineon Technologies)
စတော့ အရေအတွက် 12000 pcs စတော့ရှယ်ယာ
အမျိုးအစားခွဲခြားထားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်ကုန်များ > Transistors - FETs၊ MOSFETs - Single
MOSFET P-CH 30V 21A PQFN ၏ ဖော်ပြချက်
ခဲအခမဲ့အခြေအနေ / RoHS အခြေအနေ- ခဲအခမဲ့ / RoHS လိုက်နာမှု
အကျယ် - အတွင်း -55°C ~ 150°C (TJ)
ဗို့အား/လျှပ်စီးကြောင်း - အထွက် 1 PQFN (5x6)
သည်းခံနိုင်မှု 5250pF @ 15V
အမြီးရိုက် P-Channel
အဆင့်ထောင့် MOSFET (သတ္တုအောက်ဆိုဒ်)
Infineon Technologies အပူချိန်ကျုံ့
SFP/XFP အမျိုးအစား ±20V
အဝေးထိန်းစွမ်းရည် HEXFET®
Pitch - Cable Surface Mount
အခြားအမည်များ အခမဲ့ / RoHS လိုက်နာမှု
အခြားအမည်များ ၁
Oscillator အမျိုးအစား 8-PowerVDFN
DAC ၏ 30V အရေအတွက်
အနိမ့်ဆုံး အရည် သီးခြားဆွဲငင်အား -
Mating Orientation 4.6 mOhm @ 21A, 10V
ထုတ်လုပ်သူ အပိုင်းနံပါတ် IRFH9310TRPBFDKR-ND
အရှည် - Barrel Digi-Reel®
မီးရောင် 4.5V, 10V
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
လုပ်ဆောင်ချက် 58nC @ 4.5V
Coil Power Active ပါ။
Channel Capacitance (CS(off)၊ CD(off)) 3.1W (Ta)
Card Reader အမျိုးအစား 2.4V @ 100µA
အင်္ဂါရပ်များနှင့် အကျိုးကျေးဇူးများ
ရရှိလာသော အကျိုးကျေးဇူးများ အင်္ဂါရပ်များ
Low RDSon (≤ 4.6mΩ) Lower Conduction Losses
Industry-Standard PQFN Package Multi-Vendor Compatibility
RoHS Compliant တွင် Lead မပါ၀င်သော Bromide နှင့် Halogen မရှိသော Environmentally Friendlier
ရလဒ်များ
မှတ်ချက်
ပုံစံ အရေအတွက်
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm တိပ်နှင့် ရစ်ပတ် 4000
မှာယူနိုင်သော အပိုင်းနံပါတ် Package Type Standard Pack
VDS -30 V
RDS(on) အများဆုံး
(@VGS=10V) 4.6 mΩ
Qg (ပုံမှန်) 110 nC
RG (ပုံမှန်) 2.8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
အကြွင်းမဲ့ အများဆုံး အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များ
ကန့်သတ်ချက်ယူနစ်များ
VDS Drain-to-Source ဗို့အား
VGS Gate-to-Source ဗို့အား
ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current၊ VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current၊ VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current၊ VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Continuous Drain Current၊ VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current၊ VGS @ -10V (Package Limited)
IDM Pulsed Drain Current
PD @TA = 25°C ပါဝါ Dissipation
PD @ TA = 70°C ပါဝါ Dissipation
Linear Derating Factor W/°C
TJ Operating Junction နှင့်
TSTG သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ
ထပ်တလဲလဲ အဆင့်သတ်မှတ်;သွေးခုန်နှုန်း အကျယ်ကို အမြင့်ဆုံးဖြင့် ကန့်သတ်ထားသည်။လမ်းဆုံအပူချိန်။
စတင်ခြင်း TJ = 25°C၊ L = 1.1mH၊ RG = 50Ω၊ IAS = -17A။
သွေးခုန်နှုန်း အကျယ် ≤ 400µs;တာဝန်လည်ပတ်မှု ≤ 2%။
1 လက်မစတုရန်းကြေးနီဘုတ်ပြားပေါ်တွင်တပ်ဆင်သောအခါ။
Rθ သည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 90°C TJ တွင် တိုင်းတာသည်။
DESIGN AID အတွက်သာ၊ ထုတ်လုပ်မှုစမ်းသပ်ခြင်းမပြုပါ။