ထိခိုက်လွယ်သော ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် ချို့ယွင်းမှုမုဒ်တွင် အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများ ချို့ယွင်းမှု

ဤစာတမ်းတွင်၊ အီလက်ထရွန်နစ်အစိတ်အပိုင်းများ၏ ချို့ယွင်းမှုမုဒ်များနှင့် ချို့ယွင်းမှုယန္တရားများကို လေ့လာပြီး အီလက်ထရွန်းနစ်ထုတ်ကုန်များ၏ ဒီဇိုင်းအတွက် အကိုးအကားအချို့ကို ပံ့ပိုးပေးရန် ၎င်းတို့၏ အရေးကြီးသောပတ်ဝန်းကျင်များကို ပေးထားသည်။
1. ပုံမှန်အစိတ်အပိုင်း ချို့ယွင်းမှုမုဒ်များ
နံပါတ်စဥ်
အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းအမည်
ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ ချို့ယွင်းမှုမုဒ်များ
သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်စိတ်ဖိစီးမှု

1. လျှပ်စစ်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများ
တုန်ခါခြင်းသည် ကွိုင်များ ကျိုးကြေခြင်းနှင့် ကေဘယ်လ်များ လျော့ရဲခြင်းတို့ကို ဖြစ်စေသည်။
တုန်ခါမှု၊ ရှော့ခ်

2. Semiconductor မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ကိရိယာများ
မြင့်မားသော အပူချိန်နှင့် အပူချိန် ရှော့ခ်တိုက်ခြင်းသည် အထုပ်ပစ္စည်းနှင့် ချစ်ပ်ကြားရှိ မျက်နှာပြင်နှင့် ပလပ်စတစ်အလုံပိတ် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် monolith ၏ ပလပ်စတစ်အလုံပိတ် ပစ္စည်းနှင့် ချစ်ပ်ကိုင်ဆောင်သူကြားတွင် ကွဲထွက်စေပါသည်။
မြင့်မားသောအပူချိန်၊ အပူချိန်ရှော့ခ်

3. Hybrid ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ
Shock သည် ကြွေလွှာကွဲအက်ခြင်းသို့ ဦးတည်သည်၊ အပူချိန် ရှော့ခ်သည် capacitor အဆုံး electrode ကွဲအက်ခြင်းသို့ ဦးတည်ပြီး၊ အပူချိန် စက်ဘီးစီးခြင်းသည် ဂဟေဆက်မှု ချို့ယွင်းမှုကို ဖြစ်စေသည်။
ရှော့ခ်၊ အပူချိန်စက်ဝန်း

4. Discrete Devices နှင့် Integrated Circuits များ
အပူပိုင်းပြိုကွဲခြင်း၊ ချစ်ပ်ဂဟေချို့ယွင်းခြင်း၊ အတွင်းခဲနှောင်တွယ်ခြင်း ချို့ယွင်းခြင်း၊ ရှော့ခ်ဖြစ်ပြီး passivation အလွှာ ပေါက်ပြဲခြင်းကို ဖြစ်စေသည်။
မြင့်မားသောအပူချိန်၊ တုန်ခါမှု၊ တုန်ခါမှု

5. Resistive အစိတ်အပိုင်းများ
Core substrate ပေါက်ပြဲခြင်း၊ ခံနိုင်ရည်ရှိသော ရုပ်ရှင်ပေါက်ပြဲခြင်း၊ ခဲကွဲခြင်း။
အပူချိန်မြင့် နှင့် အနိမ့်ပိုင်း ရှော့ခ်

6. ဘုတ်ကစ်ု
အက်ကွဲနေသော ဂဟေအဆစ်များ၊ ကျိုးကြေနေသော ကြေးနီအပေါက်များ။
အပူချိန်မြင့်

7. လျှပ်စစ်ဖုန်စုပ်စက်
ပူသောဝိုင်ယာကြိုးကျိုးခြင်း ပင်ပန်းနွမ်းနယ်ခြင်း။
တုန်ခါခြင်း
2၊ ပုံမှန်အစိတ်အပိုင်း ချို့ယွင်းမှု ယန္တရား ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း။
အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများ၏ ချို့ယွင်းမှုမုဒ်သည် တစ်ခုတည်းမဟုတ်ပါ၊ ပိုမိုယေဘူယျကောက်ချက်ချနိုင်စေရန်အတွက် ယေဘုယျကောက်ချက်ချနိုင်စေရန်အတွက် သာမန်အစိတ်အပိုင်းများ၏ အရေးကြီးသော ပတ်ဝန်းကျင်သည်းခံနိုင်မှု ကန့်သတ်ချက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု၏ ကိုယ်စားလှယ်အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုသာဖြစ်သည်။
2.1 လျှပ်စစ်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများ
ရိုးရိုးလျှပ်စစ်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများတွင် လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်ကိရိယာများ၊ relay များ စသည်တို့ ပါဝင်ပါသည်။ ချို့ယွင်းမှုမုဒ်များကို အစိတ်အပိုင်းနှစ်ခု၏ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အသေးစိတ်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာထားသည်။

1) လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်ကိရိယာများ
အခြေခံယူနစ်သုံးခု၏ shell, insulator နှင့် contact body ဖြင့် လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်ကိရိယာ၊ ချို့ယွင်းမှုမုဒ်ကို အဆက်အသွယ်ပျက်ကွက်မှု၊ လျှပ်ကာချို့ယွင်းမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာချို့ယွင်းမှုပုံစံသုံးမျိုးတွင် အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြထားသည်။အဆက်အသွယ်ပျက်ကွက်မှုအတွက်လျှပ်စစ် connector ၏အဓိကပုံစံပျက်ကွက်, ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ပျက်ကွက်: အဆက်အသွယ်ချက်ချင်းချိုးနှင့်အဆက်အသွယ်အပေါ်ခုခံတိုးပွါး။Electric connectors များအတွက် contact resistance နှင့် material conductor resistance ကြောင့်၊ electro connector မှတဆင့် current စီးဆင်းလာသောအခါ contact resistance နှင့် metal material conductor resistance သည် Joule heat ကိုထုတ်ပေးသည်၊ Joule heat သည် အပူတိုးလာကာ တိုးလာပါသည်။ အဆက်အသွယ်ပွိုင့်၏ အပူချိန်၊ မြင့်မားလွန်းသော အဆက်အသွယ်ပွိုင့် အပူချိန်သည် သတ္တု၏ ထိတွေ့မျက်နှာပြင်ကို ပျော့ပျောင်းစေကာ အရည်ပျော်ခြင်း သို့မဟုတ် ပွက်ပွက်ဆူလာကာ အဆက်အသွယ် ခုခံမှုကိုလည်း တိုးလာစေပြီး အဆက်အသွယ် ချို့ယွင်းမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။.မြင့်မားသော အပူချိန်ပတ်ဝန်းကျင်၏ အခန်းကဏ္ဍတွင်၊ အဆက်အသွယ် အစိတ်အပိုင်းများ သည် ထိတွေ့မှု အစိတ်အပိုင်းများကြား အဆက်အသွယ် ဖိအားကို လျော့ကျစေသည့် ပုတ်ခတ်ဖြစ်စဉ် ပေါ်လာလိမ့်မည်။ထိတွေ့မှုဖိအားကို အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ လျှော့ချလိုက်သောအခါ၊ အဆက်အသွယ် ခံနိုင်ရည်သည် သိသိသာသာ တိုးလာပြီး နောက်ဆုံးတွင် ညံ့ဖျင်းသော လျှပ်စစ်အဆက်အသွယ်ကို ဖြစ်စေကာ အဆက်အသွယ် ချို့ယွင်းမှု ဖြစ်စေသည်။

အခြားတစ်ဖက်တွင်၊ သိုလှောင်မှု၊ သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနှင့် အလုပ်တွင်ရှိသော လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်ကိရိယာသည် တုန်ခါမှုဝန်နှင့် သက်ရောက်မှုအမျိုးမျိုးကို သက်ရောက်စေမည်ဖြစ်ပြီး၊ ပြင်ပတုန်ခါမှုဝန်အား လှုံ့ဆော်မှုကြိမ်နှုန်းနှင့် လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်ကိရိယာများသည် မွေးရာပါကြိမ်နှုန်းနှင့် နီးကပ်လာသောအခါ လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်ကိရိယာကို ပဲ့တင်ထပ်စေမည်ဖြစ်သည်။ ဖြစ်စဉ်ကြောင့် ဆက်သွယ်မှုအပိုင်းများကြား ကွာဟချက် ကြီးမားလာကာ ကွာဟချက် အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ တိုးလာကာ အဆက်အသွယ် ဖိအားသည် ချက်ခြင်း ပျောက်ကွယ်သွားကာ လျှပ်စစ်အဆက်အသွယ် "ချက်ခြင်း ချိုးဖျက်ခြင်း" ကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။တုန်ခါမှု၊ တုန်ခါမှုတွင်၊ လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်ကိရိယာသည် ပစ္စည်း၏အထွက်နှုန်းအား ကျော်လွန်သောအခါ၊ ဖိအားသည် ပစ္စည်း၏အထွက်နှုန်းကို ကျော်လွန်သောအခါ၊ လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်ကိရိယာသည် အတွင်းစိတ်ဖိစီးမှုကို ထုတ်ပေးလိမ့်မည်။ဤရေရှည်စိတ်ဖိစီးမှု၏အခန်းကဏ္ဍတွင်၊ ပစ္စည်းသည်လည်း ပင်ပန်းနွမ်းနယ်ပျက်စီးမှု ဖြစ်ပေါ်ပြီး နောက်ဆုံးတွင် ကျရှုံးမှုကို ဖြစ်စေသည်။

2) ထပ်ဆင့်လွှင့်
Electromagnetic relay များသည် ယေဘူယျအားဖြင့် cores, coils, armatures, contacts, reeds စသည်တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။အချို့သော ဗို့အားကို coil ၏အစွန်းနှစ်ဖက်သို့ ပေါင်းထည့်သရွေ့၊ အချို့သော လျှပ်စီးကြောင်းသည် coil အတွင်း စီးဆင်းမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် လျှပ်စစ်သံလိုက်အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ထုတ်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် အူတိုင်ဆီသို့ နွေဦးမှ ဆွဲငင်လာစေရန် လျှပ်စစ်သံလိုက်စွမ်းအားကို ကျော်လွှားသွားမည်ဖြစ်သည်။ တစ်ဖန် armature ၏ရွေ့လျားနေသောအဆက်အသွယ်များနှင့် static contacts (ပုံမှန်အားဖြင့်ဖွင့်ထားသောအဆက်အသွယ်များ) ကိုပိတ်ရန်တွန်းအားပေးသည်။ကွိုင်အား ပါဝါပိတ်လိုက်သောအခါတွင်၊ လျှပ်စစ်သံလိုက်စုပ်အားသည်လည်း ပျောက်ကွယ်သွားသည်၊ သို့မှသာ ရွေ့လျားနေသောအဆက်အသွယ်နှင့် မူလတည်ငြိမ်အဆက်အသွယ် (သာမန်အားဖြင့် အပိတ်အဆက်အသွယ်) စုပ်ယူမှုပြုလုပ်ရန်အတွက် armature သည် မူလအနေအထားသို့ ပြန်လည်ရောက်ရှိမည်ဖြစ်သည်။ဤစုပ်ယူခြင်းနှင့် ထုတ်လွှတ်ခြင်း၏ ရည်ရွယ်ချက်ကို အောင်မြင်ပြီး ပတ်လမ်းအတွင်း ဖြတ်တောက်သည်။
လျှပ်စစ်သံလိုက်ထပ်ဆင့်ပို့များ၏ အလုံးစုံပျက်ကွက်မှု၏ အဓိကမုဒ်များမှာ- relay သည် ပုံမှန်အားဖြင့်ဖွင့်ခြင်း၊ relay ပုံမှန်အတိုင်းပိတ်ခြင်း၊ relay ၏ dynamic spring လုပ်ဆောင်ချက်သည် လိုအပ်ချက်များနှင့်မကိုက်ညီခြင်း၊ relay သည် လျှပ်စစ်ဘောင်သတ်မှတ်ချက်များ ညံ့ဖျင်းခြင်းထက်ကျော်လွန်ပြီးနောက် ဆက်သွယ်မှုပိတ်ခြင်း။လျှပ်စစ်သံလိုက်ထပ်ဆင့် ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ် ပြတ်လပ်မှုကြောင့်၊ လျှို့ဝှက် အန္တရာယ်များ ဖြစ်သည့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဖိစီးမှု သက်သာရာရရန် ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်တွင် လျှပ်စစ်သံလိုက် ထပ်ဆင့်ပို့မှု ချို့ယွင်းမှု အများအပြားသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဖိစီးမှု သက်သာရာရချိန် တိုတောင်းလွန်းသဖြင့် ပုံသွင်းခြင်း အစိတ်အပိုင်းများ ပုံပျက်သွားပြီးနောက် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံ၊ အကြွင်းအကျန်များကို ဖယ်ရှားခြင်း မပြုလုပ်နိုင်ပါ။ PIND စမ်းသပ်မှု မအောင်မြင်ခြင်း သို့မဟုတ် ပျက်ကွက်ခြင်းတို့ကြောင့် စက်ပစ္စည်း၏ ချို့ယွင်းချက် စသည်တို့ကို အသုံးပြုရန် စက်ရုံမှ စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် စိစစ်အသုံးပြုခြင်းတို့သည် တင်းကျပ်ခြင်းမရှိပါ။ သက်ရောက်မှု ပတ်ဝန်းကျင်သည် သတ္တုအဆက်အသွယ်များ၏ ပလပ်စတစ်ပုံသဏ္ဍာန်ကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး relay ချို့ယွင်းမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။Relay များပါရှိသော စက်ပစ္စည်းများ၏ ဒီဇိုင်းတွင်၊ ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် သက်ရောက်မှုပတ်ဝန်းကျင် လိုက်လျောညီထွေရှိမှုအပေါ် အာရုံစိုက်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

2.2 Semiconductor မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် အစိတ်အပိုင်းများ
မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများသည် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်တီးဝိုင်းတွင်လည်ပတ်သည့် Ge၊ Si နှင့် III~V ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြင့်ပြုလုပ်ထားသည့် အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။၎င်းတို့ကို ရေဒါ၊ အီလက်ထရွန်နစ်စစ်ပွဲစနစ်များနှင့် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များကဲ့သို့သော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုကြသည်။မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် အဆက်ဖြတ်သည့် ကိရိယာထုပ်ပိုးမှုသည် လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်မှုများနှင့် အူတိုင်များနှင့် တံများအတွက် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုကာကွယ်ရေးအပြင်၊ အိမ်ရာ၏ ဒီဇိုင်းနှင့် ရွေးချယ်မှုသည် ကိရိယာ၏ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ထုတ်လွှင့်မှုဝိသေသလက္ခဏာများပေါ်တွင် အိမ်ရာကပ်ပါးကန့်သတ်ဘောင်များ၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုလည်း ထည့်သွင်းစဉ်းစားသင့်သည်။မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်အိမ်သည် ဆားကစ်၏ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုလည်းဖြစ်ပြီး ၎င်းကိုယ်တိုင် ပြီးပြည့်စုံသော input နှင့် output circuit တစ်ခုဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ထို့ကြောင့်၊ အိမ်ရာ၏ပုံသဏ္ဍာန်နှင့်ဖွဲ့စည်းပုံ၊ အရွယ်အစား၊ dielectric ပစ္စည်း၊ conductor configuration စသည်တို့သည် အစိတ်အပိုင်းများနှင့် circuit application များ၏ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် ကိုက်ညီသင့်ပါသည်။ဤအချက်များသည် capacitance၊ လျှပ်စစ်ခဲခံနိုင်ရည်၊ ဝိသေသ impedance၊ နှင့် conductor နှင့် tube ၏ dielectric ဆုံးရှုံးမှုကဲ့သို့သော ကန့်သတ်ချက်များကို ဆုံးဖြတ်သည်။

မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ အစိတ်အပိုင်းများ၏ ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သက်ဆိုင်သော ချို့ယွင်းမှုပုံစံများနှင့် ယန္တရားများတွင် အဓိကအားဖြင့် တံခါးသတ္တုစုပ်ခွက်နှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိသော ဂုဏ်သတ္တိများ ကျဆင်းခြင်း ပါဝင်သည်။Gate metal sink သည် GaAs သို့ gate metal (Au) ၏ အပူလွန်ကဲစွာ ပျံ့နှံ့သွားခြင်းကြောင့်၊ ထို့ကြောင့် ဤကျရှုံးမှု ယန္တရားသည် အရှိန်မြှင့်ထားသော life tests သို့မဟုတ် အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်လုပ်ဆောင်မှုအတွင်း အဓိကအားဖြင့် ဖြစ်ပေါ်ပါသည်။GaAs သို့ gate metal (Au) ပျံ့နှံ့မှုနှုန်းသည် gate metal material၊ temperature နှင့် material concentration gradient တို့၏ diffusion coefficient ၏ function တစ်ခုဖြစ်သည်။ပြီးပြည့်စုံသော ကွက်ကွက်ဖွဲ့စည်းပုံအတွက်၊ ပုံမှန်လည်ပတ်နေသော အပူချိန်တွင် အလွန်နှေးကွေးသော ပျံ့နှံ့နှုန်းကြောင့် စက်ပစ္စည်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိခိုက်ခြင်းမရှိသော်လည်း၊ အမှုန်နယ်နိမိတ်များ ကြီးမားခြင်း သို့မဟုတ် မျက်နှာပြင် ချို့ယွင်းချက်များစွာရှိသည့်အခါ ပျံ့နှံ့မှုနှုန်းသည် သိသာထင်ရှားပါသည်။တုံ့ပြန်မှုဆားကစ်များအတွက် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များ၊ တက်ကြွသောစက်ပစ္စည်းများ၏ ဘက်လိုက်အချက်၊ အထီးကျန်ခြင်း၊ ပါဝါပေါင်းစပ်ခြင်း သို့မဟုတ် အချိတ်အဆက်၏အဆုံးကို သတ်မှတ်ခြင်း၊ ခံနိုင်ရည်ဖွဲ့စည်းပုံ နှစ်ခုရှိသည်- သတ္တုဖလင်ခံနိုင်ရည် (TaN၊ NiCr) နှင့် ပေါ့ပေါ့ပါးပါး doped GaAs ပါးလွှာသော layer ခုခံ။စိုထိုင်းဆကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော NiCr ခံနိုင်ရည် ကျဆင်းခြင်းသည် ၎င်း၏ ချို့ယွင်းမှု၏ အဓိက ယန္တရားဖြစ်ကြောင်း စမ်းသပ်ချက်များအရ သိရသည်။

2.3 Hybrid ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်များ
ရိုးရာစပ်ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ၊ ထူထဲသောဖလင်လမ်းညွှန်တိပ်၏အလွှာမျက်နှာပြင်အတိုင်း၊ ပါးလွှာသောဖလင်လမ်းညွှန်တိပ်လုပ်ငန်းစဉ်ကို ထူဖလင်မျဉ်းသားပေါင်းစပ်ထားသောဆားကစ်များနှင့် ပါးလွှာသောဖလင်မျဉ်းသားပေါင်းစပ်ထားသောဆားကစ်များ- အချို့သောအသေးစားပုံနှိပ်ဆားကစ်ဘုတ် (PCB) ဆားကစ်၊ ပုံနှိပ်ဆားကစ်သည် လျှပ်ကူးမှုပုံစံအဖြစ် ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်ပြားအဖြစ် သတ်မှတ်ထားသော အပြားမျက်နှာပြင်ရှိ ဖလင်ပုံစံဖြစ်သည်။Multi-chip အစိတ်အပိုင်းများ ပေါ်ပေါက်လာသဖြင့် ဤအဆင့်မြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်၊ ၎င်း၏ အလွှာတစ်ခုမှ ထူးခြားသော အလွှာပေါင်းစုံ ဝါယာကြိုးဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အပေါက်ဖောက်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာတို့ကြောင့် အစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြုထားသော သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်ဖွဲ့စည်းပုံတွင် အစိတ်အပိုင်းများကို ဟိုက်ဘရစ် ပေါင်းစပ် circuit တစ်ခု ဖြစ်လာစေခဲ့သည်။ Chip အစိတ်အပိုင်းများစွာတွင် ပါဝင်သည်- ပါးလွှာသောဖလင်မျိုးစုံ၊ အထူဖလင်မျိုးစုံအလွှာ၊ အပူချိန်မြင့် တွဲဖက်ပစ်ခတ်မှု၊ အပူချိန်နိမ့်၊ ဆီလီကွန်အခြေခံ၊ PCB များစွာသော အလွှာ၊ စသည်တို့ပါဝင်သည်။

ဟိုက်ဘရစ် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်း ပတ်ဝန်းကျင် ဖိစီးမှု ချို့ယွင်းမှု မုဒ်များတွင် အဓိကအားဖြင့် အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ထူထဲသော ဖလင်စပယ်ယာများ၊ အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ပါးလွှာသော ဖလင်စပယ်ယာများ၊ အလွှာနှင့် အိမ်ရာများကြားတွင် ကွဲအက်ခြင်းနှင့် ဂဟေဆက်ခြင်း ချို့ယွင်းမှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော လျှပ်စစ်အဖွင့် ဆားကစ်ချို့ယွင်းမှု ပါဝင်သည်။ထုတ်ကုန်ကျဆင်းခြင်းမှ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ သက်ရောက်မှု၊ ဂဟေဆော်ခြင်းမှ အပူရှော့တိုက်ခြင်း၊ အလွှာ၏ warpage မညီညာခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ထပ်လောင်းဖိစီးမှု၊ အလွှာနှင့် သတ္တုအိမ်နှင့် ဆက်စပ်ပစ္စည်းကြားတွင် အပူမယှဉ်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော တွန်းအားများ၊ အရေပြားအတွင်းပိုင်းချို့ယွင်းချက်များကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိစီးမှု သို့မဟုတ် အပူဖိစီးမှု အာရုံစူးစိုက်မှု အလားအလာ၊ အလွှာများကို တူးဖော်ခြင်းနှင့် အလွှာတွင်း သေးငယ်သော အက်ကွဲကြောင်းများကို ဖြတ်တောက်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော နောက်ဆုံးတွင် ကြွေလွှာအလွှာ၏ မွေးရာပါ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခွန်အားထက် ပိုကြီးသော ပြင်ပစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဖိအားကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။

ဂဟေဖွဲ့စည်းပုံများသည် ထပ်ခါတလဲလဲ အပူချိန် စက်ဘီးစီးခြင်းများကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဂဟေအလွှာ၏ အပူပိုင်း ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်ပြီး နှောင်ကြိုးအား လျှော့ချကာ အပူခံနိုင်ရည် တိုးလာစေသည်။သံဖြူအခြေခံထားသော ductile ဂဟေအမျိုးအစားအတွက်၊ temperature cyclic stress သည် ဂဟေအလွှာ၏ အပူပိုင်း ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ဂဟေဖြင့်ချိတ်ဆက်ထားသော တည်ဆောက်ပုံနှစ်ခု၏ thermal expansion coefficient သည် ကွဲလွဲနေခြင်းကြောင့်၊ ဂဟေဆော်သည့်နေရာပြောင်းခြင်း သို့မဟုတ် ရှယာပုံပျက်ခြင်း၊ ထပ်ခါတလဲလဲပြီးနောက်၊ ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုကွဲအက်ခြင်းနှင့်တိုးချဲ့ခြင်းနှင့်အတူဂဟေအလွှာသည်နောက်ဆုံးတွင်ဂဟေအလွှာ၏ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။
2.4 သီးခြားစက်ပစ္စည်းများနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ
Semiconductor discrete စက်များကို diodes၊ bipolar transistors၊ MOS field effect tubes၊ thyristors နှင့် insulated gate bipolar transistors များကို အမျိုးအစားများအလိုက် ပိုင်းခြားထားသည်။ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များတွင် အသုံးချပရိုဂရမ်များ ကျယ်ပြန့်ပြီး ၎င်းတို့၏ လုပ်ငန်းဆောင်တာများအလိုက် အမျိုးအစားသုံးမျိုး ခွဲခြားနိုင်သည်။

1) သီးခြားစက်ပစ္စည်းများ
သီးခြားစက်ပစ္စည်းများသည် အမျိုးအစားအမျိုးမျိုးရှိပြီး ၎င်းတို့၏ ကွဲပြားသောလုပ်ဆောင်ချက်များနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များကြောင့် ၎င်းတို့၏ ကိုယ်ပိုင်ထူးခြားချက် များရှိပြီး ကျရှုံးမှုစွမ်းဆောင်ရည်တွင် သိသာထင်ရှားသော ကွဲပြားမှုများရှိသည်။သို့သော်၊ semiconductor လုပ်ငန်းစဉ်များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော အခြေခံ စက်ပစ္စည်းများ အနေဖြင့် ၎င်းတို့၏ ချို့ယွင်းချက် ရူပဗေဒတွင် အချို့သော တူညီချက်များ ရှိပါသည်။ပြင်ပစက်ပြင်နှင့် သဘာဝပတ် ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ အဓိကကျရှုံးမှုများမှာ အပူပိုင်းပြိုကွဲခြင်း၊ ဒိုင်းနမစ်နှင်းပြိုကျခြင်း၊ ချစ်ပ်ဂဟေချို့ယွင်းခြင်းနှင့် အတွင်းပိုင်းခဲတွယ်ခြင်း ပျက်ကွက်ခြင်းတို့ဖြစ်သည်။

အပူပိုင်းပြိုကွဲခြင်း- အပူပိုင်းပြိုကွဲခြင်း သို့မဟုတ် ဆင့်ပွားပြိုကွဲမှုသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပါဝါအစိတ်အပိုင်းများကို ထိခိုက်စေသည့် အဓိကကျရှုံးမှုယန္တရားဖြစ်ပြီး အသုံးပြုနေစဉ်အတွင်း ပျက်စီးမှုအများစုသည် ဒုတိယပြိုကွဲမှုဖြစ်စဉ်နှင့် ဆက်စပ်နေသည်။အလယ်တန်းပြိုကွဲခြင်းကို ရှေ့ဘက်ဘက်လိုက် ဆင့်ပွားပြိုကွဲခြင်းနှင့် ပြောင်းပြန်ဘက်လိုက် ဆင့်ပွားပြိုကွဲခြင်းဟူ၍ ပိုင်းခြားထားသည်။ယခင်အရာသည် ကိရိယာ၏ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အာရုံစူးစိုက်မှု ၊ ပင်ကိုယ်အာရုံစူးစိုက်မှု စသည်တို့ကဲ့သို့ စက်ပစ္စည်း၏ ကိုယ်ပိုင်အပူဂုဏ်သတ္တိများနှင့် အဓိကဆက်စပ်နေပြီး နောက်တစ်ခုသည် အာကာသဓာတ်အားသွင်းရာဒေသ (ဥပမာ- စုဆောင်းသူအနီး) ရှိ သယ်ဆောင်သူများ၏ နှင်းတောင်များပြိုကျခြင်းနှင့် ဆက်စပ်နေပါသည်။ ၎င်းတို့သည် စက်အတွင်းရှိ လျှပ်စီးကြောင်း၏ အာရုံစူးစိုက်မှုနှင့်အတူ အမြဲတွဲနေပါသည်။ထိုကဲ့သို့သော အစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးချရာတွင် အပူကာကွယ်ရေးနှင့် အပူများ ပြန့်ကျဲစေရန် အထူးဂရုပြုသင့်သည်။

ဒိုင်းနမစ် နှင်းပြိုကျခြင်း- ပြင်ပ သို့မဟုတ် အတွင်းပိုင်း အင်အားစုများကြောင့် ဒိုင်းနမစ် ပိတ်ခြင်း ကာလအတွင်း၊ အခမဲ့ သယ်ဆောင်သူ၏ အာရုံစူးစိုက်မှုမှ လွှမ်းမိုးထားသော စက်အတွင်းတွင် ဖြစ်ပေါ်သော လက်ရှိ ထိန်းချုပ်ထားသော တိုက်မိသော အိုင်းယွန်း ဖြစ်စဉ်သည် bipolar စက်များ၊ diodes နှင့် IGBTs များတွင် ဖြစ်ပေါ်နိုင်သည့် dynamic avalanche ကို ဖြစ်စေသည်။

ချစ်ပ်ဂဟေချို့ယွင်းခြင်း- အဓိကအကြောင်းအရင်းမှာ ချစ်ပ်နှင့်ဂဟေများသည် မတူညီသောအပူချဲ့ထွင်မှုဆိုင်ရာ ကိန်းဂဏာန်းမတူညီသော ပစ္စည်းများဖြစ်သောကြောင့် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် အပူဓာတ်မတူညီမှုဖြစ်ပေါ်ပါသည်။ထို့အပြင်၊ ဂဟေကွက်လပ်များရှိနေခြင်းသည် စက်ပစ္စည်း၏ အပူခံနိုင်ရည်ကို တိုးစေပြီး အပူပြန့်ပွားမှုကို ဆိုးရွားစေပြီး ဒေသတွင်းတွင် ပူသောအစက်များဖြစ်ပေါ်ကာ လမ်းဆုံအပူချိန်ကို မြှင့်တင်ကာ လျှပ်စစ်ဓာတ်လိုက်မှုကဲ့သို့သော အပူချိန်ဆိုင်ရာ ချို့ယွင်းမှုများ ဖြစ်ပေါ်စေသည်။

အတွင်းခဲတွယ်ခြင်း ချို့ယွင်းခြင်း- အဓိကအားဖြင့် ပူနွေးစိုစွတ်သော ဆားမှုန်ရေမွှား ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ရေခိုးရေငွေ့၊ ကလိုရင်း ဒြပ်စင်များ စသည်တို့ကြောင့် ဖြစ်ရသည့် အလူမီနီယံ၏ သံချေးတက်မှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော သံချေးတက်ခြင်း ပျက်ကွက်ခြင်းအပူချိန်စက်ဝန်း သို့မဟုတ် တုန်ခါမှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အလူမီနီယံနှောင်ကြိုး၏ ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှု ကျိုးပဲ့သွားခြင်းဖြစ်သည်။မော်ဂျူးပက်ကေ့ခ်ျရှိ IGBT သည် အရွယ်အစား ကြီးမားပြီး ၎င်းကို လျော်ကန်စွာ တပ်ဆင်ပါက၊ ၎င်းအား ဖိစီးမှုအာရုံစူးစိုက်မှုဖြစ်စေရန် အလွန်လွယ်ကူပြီး မော်ဂျူး၏အတွင်းပိုင်းဦးတည်ချက်များ၏ ကျိုးပဲ့ပျက်စီးမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။

2) ပေါင်းစပ် circuit
ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များ၏ ချို့ယွင်းမှုနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်အသုံးပြုမှု ယန္တရားသည် ကောင်းမွန်သော ဆက်နွယ်မှုရှိပြီး၊ စိုစွတ်သောပတ်ဝန်းကျင်တွင် အစိုဓာတ်၊ တည်ငြိမ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အား သို့မဟုတ် လျှပ်စစ်လှိုင်းများမှ ထုတ်ပေးသော ပျက်စီးမှု၊ စာသားအသုံးပြုမှု အလွန်မြင့်မားခြင်းနှင့် ဓာတ်ရောင်ခြည်မပါဘဲ ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များကို အသုံးပြုခြင်း ခုခံအားဖြည့်သွင်းခြင်းသည်လည်း စက်၏ချို့ယွင်းမှုကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။

အလူမီနီယမ်နှင့်ဆက်စပ်သော မျက်နှာပြင်အကျိုးသက်ရောက်မှုများ- ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများပါသည့် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် SiO2 အလွှာကို dielectric film အဖြစ် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြပြီး အလူမီနီယမ်ကို အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုလိုင်းများအတွက် ပစ္စည်းတစ်ခုအနေဖြင့် SiO2 နှင့် အလူမီနီယမ်တို့သည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုဖြစ်လိမ့်မည်၊ ထို့ကြောင့် အလူမီနီယမ်အလွှာသည် ပါးလွှာလာပြီး၊ SiO2 အလွှာသည် တုံ့ပြန်မှုစားသုံးမှုကြောင့် ကုန်ဆုံးသွားပါက အလူမီနီယံနှင့် ဆီလီကွန်ကြား တိုက်ရိုက်ထိတွေ့မှုကို ဖြစ်စေသည်။ထို့အပြင်၊ ရွှေခဲဝါယာကြိုးနှင့် အလူမီနီယံချိတ်ဆက်မှုမျဉ်း သို့မဟုတ် အလူမီနီယံချည်နှောင်ထားသော ဝါယာကြိုးနှင့် ပြွန်ခွံ၏ရွှေချထားသော ခဲဝါယာကြိုးများ၏ ချည်နှောင်မှုသည် Au-Al ကြားခံဆက်သွယ်မှုကို ထုတ်ပေးမည်ဖြစ်သည်။ဤသတ္တုနှစ်ခု၏ မတူညီသော ဓာတုအလားအလာကြောင့်၊ 200 ℃ အထက် မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် ရေရှည်အသုံးပြုခြင်း သို့မဟုတ် သိမ်းဆည်းပြီးနောက် intermetallic ဒြပ်ပေါင်းများ အမျိုးမျိုးထွက်ရှိလာမည်ဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့၏ ရာဇမတ်ကွက်နှင့် အပူချဲ့ကိန်းများ ကွဲပြားသောကြောင့် အတွင်းဆက်စပ်အမှတ်တွင် ကွဲပြားပါသည်။ ကြီးမားသောစိတ်ဖိစီးမှု, conductivity သေးငယ်လာသည်။

Metallization corrosion- ချစ်ပ်ပေါ်ရှိ အလူမီနီယမ် ချိတ်ဆက်လိုင်းသည် ပူပြီး စိုစွတ်သော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ရေခိုးရေငွေ့ကြောင့် ချေးတက်နိုင်ချေ ရှိသည်။စျေးနှုန်းနှိမ်ချမှုနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက် လွယ်ကူစွာ ထုတ်လုပ်မှုကြောင့်၊ များစွာသော ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များကို အစေးဖြင့် ထုပ်ပိုးထားသော်လည်း၊ ရေငွေ့သည် အလူမီနီယမ်ကို အပြန်အလှန် ဆက်သွယ်မှုဆီသို့ ရောက်ရှိစေရန် အစေးမှတဆင့် ဖြတ်သန်းနိုင်ပြီး ပြင်ပမှ သယ်ဆောင်လာသော အညစ်အကြေးများ သို့မဟုတ် အစေးတွင် ပျော်ဝင်စေရန် သတ္တုအလူမီနီယံဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။ အလူမီနီယံ၏ ဖောက်ပြန်မှု။

ရေခိုးရေငွေ့ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော delamination အကျိုးသက်ရောက်မှု- ပလပ်စတစ် IC သည် ပလပ်စတစ်နှင့် အခြားအစေးပေါ်လီမာပစ္စည်းများဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်ဖြစ်ပြီး၊ ပလပ်စတစ်ပစ္စည်းနှင့် သတ္တုဘောင်နှင့် ချစ်ပ်များကြားတွင် ကွဲထွက်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုအပြင် (အများအားဖြင့် "ပေါက်ပေါက်" အကျိုးသက်ရောက်မှု)၊ အစေးတွင် ရေခိုးရေငွေ့စုပ်ယူမှု လက္ခဏာများ ပါရှိသောကြောင့်၊ ရေခိုးရေငွေ့ စုပ်ယူမှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော delamination effect သည် စက်အား ပျက်ယွင်းစေပါသည်။.ချို့ယွင်းမှုယန္တရားသည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ပလပ်စတစ်အလုံပိတ်ပစ္စည်းအတွင်း ရေများ လျင်မြန်စွာ ချဲ့ထွင်လာခြင်းကြောင့် ပလပ်စတစ်နှင့် ၎င်း၏အခြားပစ္စည်းများ၏ တွယ်တာမှုကြားမှ ကွဲထွက်သွားပြီး ပြင်းထန်သောအခြေအနေများတွင် ပလပ်စတစ်အလုံပိတ်ကိုယ်ထည်သည် ကွဲထွက်သွားမည်ဖြစ်သည်။

2.5 Capacitive resistive အစိတ်အပိုင်းများ
1) ခုခံမှု
အလွိုင်းအမျိုးအစား၊ ဖလင်အမျိုးအစား၊ ထူထဲသောဖလင်အမျိုးအစားနှင့် ဓာတုပစ္စည်းအမျိုးအစားအလိုက် အသုံးများသော အကွေ့အကောက်မရှိသော ခုခံအားကို လေးမျိုးခွဲခြားနိုင်သည်။fixed resistors များအတွက်, main failure modes များမှာ open circuit, electronic parameter drift, etc.potentiometers များအတွက် အဓိကကျရှုံးသည့်မုဒ်များမှာ အဖွင့်ပတ်လမ်း၊ လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာကန့်သတ်ချက်များ ပျံ့လွင့်ခြင်း၊ ဆူညံသံတိုးလာခြင်းစသည်ဖြင့်၊ အသုံးပြုမှုပတ်ဝန်းကျင်သည် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၏သက်တမ်းအပေါ် ကြီးမားသောအကျိုးသက်ရောက်မှုဖြစ်စေသည့် resistor ဟောင်းနွမ်းခြင်းဆီသို့ ဦးတည်သွားမည်ဖြစ်သည်။

Oxidation : resistor body ၏ oxidation သည် resistance တန်ဖိုးကို တိုးလာစေပြီး resistor အိုမင်းခြင်းကို ဖြစ်စေသော အရေးကြီးဆုံးအချက်ဖြစ်သည်။အဖိုးတန်သတ္တုများနှင့် သတ္တုစပ်များဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် ခုခံအားကိုယ်ထည်များမှလွဲ၍ အခြားပစ္စည်းများအားလုံးကို လေထဲတွင် အောက်ဆီဂျင်ကြောင့် ပျက်စီးသွားမည်ဖြစ်သည်။Oxidation သည် ရေရှည်အကျိုးသက်ရောက်မှုဖြစ်ပြီး အခြားသောအချက်များ၏ လွှမ်းမိုးမှု တဖြည်းဖြည်းလျော့နည်းလာသောအခါ ဓာတ်တိုးမှုသည် အဓိကအချက်ဖြစ်လာမည်ဖြစ်ပြီး အပူချိန်နှင့် စိုထိုင်းဆမြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်များသည် resistors များ၏ ဓာတ်တိုးမှုကို အရှိန်မြှင့်ပေးမည်ဖြစ်သည်။တိကျသော ခံနိုင်ရည်ရှိသူများ နှင့် မြင့်မားသော ခုခံမှုတန်ဖိုး ခုခံမှုများအတွက်၊ ဓာတ်တိုးခြင်းကို တားဆီးရန် အခြေခံ တိုင်းတာမှုမှာ အလုံပိတ် အကာအကွယ် ဖြစ်သည်။အလုံပိတ်ပစ္စည်းများဖြစ်သည့် သတ္တု၊ ကြွေထည်၊ ဖန်စသည်ဖြင့် သတ္တုစပ်ပစ္စည်းများဖြစ်သင့်သည်။ အော်ဂဲနစ်အကာအကွယ်အလွှာသည် အစိုဓာတ်စိမ့်ဝင်မှုနှင့် လေစိမ့်ဝင်နိုင်မှုတို့ကို လုံး၀မတားဆီးနိုင်သည့်အပြင် ဓာတ်တိုးခြင်းနှင့် စုပ်ယူမှုတွင် နှောင့်နှေးစေသည့်အခန်းကဏ္ဍမှသာ လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။

binder ၏အိုမင်းခြင်း- အော်ဂဲနစ်ပေါင်းစပ် ခုခံမှုများအတွက်၊ အော်ဂဲနစ် binder ၏သက်တမ်းသည် resistor ၏တည်ငြိမ်မှုကိုထိခိုက်စေသောအဓိကအချက်ဖြစ်သည်။အော်ဂဲနစ် binder သည် အဓိကအားဖြင့် ဓာတု resin ဖြစ်ပြီး၊ resistor ၏ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အပူကုသမှုဖြင့် အလွန်ပိုလီမာဆန်သော သာမိုဆက်တင် ပိုလီမာအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲသည်။ပိုလီမာ အိုမင်းခြင်းကို ဖြစ်စေသော အဓိက အကြောင်းအရင်းမှာ ဓာတ်တိုးခြင်း ဖြစ်သည်။ဓာတ်တိုးခြင်းဖြင့် ထုတ်ပေးသော ဖရီးရယ်ဒီကယ်များသည် ပိုလီမာမော်လီကျူလာနှောင်ကြိုးများကို တွယ်ကပ်စေကာ ပိုလီမာကို ပိုမိုပျောက်ကင်းစေပြီး ကြွပ်ဆတ်စေကာ ပျော့ပျောင်းမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ထိခိုက်မှုတို့ကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။binder ၏ curing သည် resistor ကိုထုထည်အတွင်းကျုံ့သွားစေပြီး conductive particles များကြား အဆက်အသွယ်ဖိအားကိုတိုးစေပြီး contact resistance ကိုလျော့ကျစေကာ ခံနိုင်ရည်ကျဆင်းစေကာ binder ၏စက်ပိုင်းဆိုင်ရာပျက်စီးမှုသည်လည်း ခံနိုင်ရည်ကိုတိုးစေသည်။အများအားဖြင့် binder ၏ curing သည်မတိုင်မီဖြစ်ပေါ်သည်၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာပျက်စီးမှုများပြီးနောက်ဖြစ်ပေါ်သည်၊ ထို့ကြောင့် organic synthetic resistors များ၏ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးသည်အောက်ပါပုံစံကိုပြသသည်- အချို့သောအဆင့်၏အစတွင်ကျဆင်းသည်၊ ထို့နောက်တိုးလာသည်၊ တိုးလာ၏လမ်းကြောင်းတစ်ခုရှိသည်။ပိုလီမာများ၏ အိုမင်းရင့်ရော်မှုသည် အပူချိန်နှင့် အလင်းရောင်တို့နှင့် နီးကပ်စွာ ဆက်စပ်နေသောကြောင့်၊ ဓာတုခုခံမှုပစ္စည်းများသည် မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ပြင်းထန်သောအလင်းရောင်ထိတွေ့မှုအောက်တွင် အိုမင်းရင့်ရော်မှုကို အရှိန်မြှင့်ပေးလိမ့်မည်။

လျှပ်စစ်ဝန်အောက်တွင် အိုမင်းခြင်း- ခုခံအားတစ်ခုသို့ ဝန်ကို အသုံးချခြင်းသည် ၎င်း၏အိုမင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အရှိန်မြှင့်ပေးလိမ့်မည်။DC load အောက်တွင်၊ electrolytic လုပ်ဆောင်ချက်သည် ပါးလွှာသော ဖလင် resistors များကို ပျက်စီးစေသည်။အီလက်ထရွန်းနစ်သည် slotted resistor ၏အပေါက်များကြားတွင်ဖြစ်ပေါ်ပြီး resistor ၏အလွှာသည် အယ်ကာလီသတ္တုအိုင်းယွန်းများပါဝင်သော ကြွေထည် သို့မဟုတ် ဖန်ပစ္စည်းဖြစ်ပါက၊ အိုင်းယွန်းများသည် slots များကြားလျှပ်စစ်စက်ကွင်း၏လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင်ရွေ့လျားသည်။စိုစွတ်သောပတ်ဝန်းကျင်တွင်၊ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ပို၍ပြင်းထန်သည်။

2) Capacitors
Capacitors များ၏ ချို့ယွင်းမှုပုံစံများမှာ ဝါယာရှော့ဖြစ်ပြီး အဖွင့်ပတ်လမ်း၊ လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ ကျဆင်းခြင်း (စွမ်းရည်ပြောင်းလဲမှု၊ ဆုံးရှုံးမှုထောင့်တန်ဂျင့်တိုးလာခြင်းနှင့် လျှပ်ကာခံနိုင်ရည်ကျဆင်းခြင်း)၊ အရည်ယိုစိမ့်ခြင်းနှင့် ခဲချေးကျိုးခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။

တိုတောင်းသောပတ်လမ်း- မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် လေဖိအားနည်းရပ်ဝန်းတွင် ဝင်ရိုးစွန်းများကြားရှိ အစွန်းတွင် ပျံသန်းနေသော arc သည် capacitors ၏ short circuit ကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်၊ ထို့အပြင်၊ ပြင်ပရှော့ခ်ကဲ့သို့သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိအားများသည် dielectric ၏ ယာယီ short circuit ကိုဖြစ်စေသည်။

အဖွင့်ပတ်လမ်း- စိုစွတ်ပြီး ပူပြင်းသောပတ်ဝန်းကျင်ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ခဲဝါယာကြိုးများနှင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်း အဆက်အသွယ်များကို ဓာတ်တိုးခြင်းဖြင့် သုံးစွဲနိုင်မှုနည်းပါးပြီး anode ခဲသတ္တုပါး၏ ချေးကျိုးသွားမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။
လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ ကျဆင်းခြင်း- စိုစွတ်သော ပတ်ဝန်းကျင်၏ လွှမ်းမိုးမှုကြောင့် လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာ ဘောင်များ ကျဆင်းခြင်း။

2.6 ဘုတ်အဖွဲ့အဆင့် ပတ်လမ်း
Printed circuit board သည် အဓိကအားဖြင့် insulating substrate ၊ metal wiring နှင့် wires အလွှာအမျိုးမျိုးကို ချိတ်ဆက်ခြင်း၊ ဂဟေဆော်သည့် အစိတ်အပိုင်းများ "pads" များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။၎င်း၏ အဓိက အခန်းကဏ္ဍမှာ အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများအတွက် ကယ်ရီယာတစ်ခု ထောက်ပံ့ပေးရန်နှင့် လျှပ်စစ်နှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ချိတ်ဆက်မှုများ၏ အခန်းကဏ္ဍကို လုပ်ဆောင်ရန် ဖြစ်သည်။

ပုံနှိပ်ဆားကစ်ဘုတ်၏ ချို့ယွင်းမှုမုဒ်တွင် အဓိကအားဖြင့် ဂဟေဆော်ခြင်း ညံ့ဖျင်းခြင်း၊ အဖွင့်နှင့် ဝါယာရှော့ဖြစ်ခြင်း၊ ကျဲကျဲကျဲကျဲကျဲဖြစ်ခြင်း၊ ဘုတ်ပြားကွဲထွက်ခြင်း၊ ဘုတ်မျက်နှာပြင် ချေးချွတ်ခြင်း သို့မဟုတ် အရောင်ပြောင်းခြင်း၊